第113章 FinFET鰭式场效应电晶体与FinFET工艺（1 / 2）

第113章 finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺

然而李明远可不理会那些总裁们的阴沉脸色，只见舞台上的李明远笑著说道“想將晶片结构从二维的平面结构，变成三维的立体多层结构。

实际是一场彻头彻尾的革命，不只是要在eda软体层面上进行针对性开发，也是要在硬体上面开发。

为了在硬体层面上实现我们的最终目標，我们特別开发出来了一种全新的三维结构电晶体与专用生產工艺。

即finfet鰭式场效应电晶体以及finfet工艺！”

在李明远说话的时候，身后的投影屏幕就出现了finfet鰭式场效应电晶体的图片。

“我们的finfet鰭式场效应电晶体，它是一个三维立体结构的电晶体。

每个电晶体包含一个源极、一个漏极、一个连接两者的导点通道、一个柵极————”

李明远介绍起了finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺的细节。

这两个东西，实际是前世2011年因特尔公司推出的新一代电晶体结构。

也是正是从这一年开始，正式开启了3d晶片结构的大旗。

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也正是从这一年开始，全球的製程工艺开始变得虚標起来。

不再是用电晶体的柵极长度来评价製程工艺的先进与否。

而是直接变成了等效多少多少纳米製程工艺。

只因为对於3d晶片结构来说，柵极长度大一点，並不意味著落后。

因为它看的是整体结构，看的是整体性能。

就比如前世三惺公司代工生產的某个处理器，其柵极长度就小於台积店代工生產的柵极长度。

但实际上台积店代工生產的处理器性能就是比台积店的性能更强。

原因正是三惺公司代工生產的处理器存在难以接受的漏电问题。

这晶片一漏电自然会导致温度极速升高，功耗很高，性能很低。

於是那个时候，採用三惺公司代工生產处理器的手机，也有了热得快暖手宝之名。

“我们为什么要研发出finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。

原因正是为了二维平面结构的电晶体，其实並不太適合搞3d晶片堆叠技术。

因为相比於finfet鰭式场效应电晶体，二维平面结构的传统电晶体存在著电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。

反之採用了我们自研的finfet鰭式场效应电晶体后，这些缺点统统都被克服或大幅减轻了。

也正是因为我们克服或大幅减轻了电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。

所以我们才能在同一个晶片体积上面，塞下多层结构的finfet鰭式场效应电晶体。”

闻言，现场的观眾与记者们露出恍然大悟的表情。

而新思科技的总裁盖新思，连享总裁刘川志他们的脸色已经黑如锅底了。

没有想到星火科技竟然在悄无声息之间，搞出了这么多的核心技术。

而且这些技术光是一听就知道前景很大。

这星火科技怎么就能一直往正確的道路前进，没有犯错走弯路呢？！

“我们的3d晶片堆叠技术所指的，其实不是finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。